大面积图案化

具有超疏水性能的仿生表面被誉为防污技术的有效候选者。然而，物理接触时大面积掌握、图案化和图案崩溃的局限性是海洋和医学实际应用的瓶颈。本研究采用Mor Photonicics公司的自动Portis NIL600工具，通过可重复使用的中间柔性印章，实现了高长径比( 5.0 )微结构的辊-板纳米压印光刻。在聚碳酸酯( PC )和聚对苯二甲酸乙二酯( PET )箔片上，采用两种Mor Photonicics公司的紫外光固化树脂，复制了具有八条支撑体( C-RESS )微结构的微柱( PIL )和圆环。将图形质量和表面润湿性与常规的聚二甲基硅氧烷( PDMS )软光刻工艺进行比较。研究发现，R2P NIL复制的PIL和C-RESS模式的高度与模式设计的偏差分别小于6 %和5 %。此外，印迹PIL和C - RESS的表面润湿性分别为超疏水疏油型和疏水疏油型，对C - RESS的微观结构具有良好的鲁棒性。因此，R2P NIL工艺有望成为大规模抗污染C-RESS微结构制备的一种有前途的方法。

具有超疏水性能的仿生表面被誉为防污技术的有效候选者。然而，物理接触时大面积掌握、图案化和图案崩溃的局限性是海洋和医学实际应用的瓶颈。本研究利用Mor photonics公司的自动化Portis NIL600工具，采用辊-板纳米压印( R2P NIL )工艺，利用硅基主模制备的可重复使用的中间柔性印章复制高宽比( 5.0 )微结构。在聚碳酸酯( PC )和聚对苯二甲酸乙二酯( PET )箔片基片上，采用Mor Photonicics公司的两种室内紫外光固化树脂，复制了具有8条条纹支撑体( C-RESS )微结构的微柱( PIL )和圆环。将图形质量和表面润湿性与常规的聚二甲基硅氧烷( PDMS )软光刻工艺进行比较。研究发现，R2P NIL复制的PIL和C-RESS模式的高度与模式设计的偏差分别小于6 %和5 %。此外，印迹PIL和C - RESS的表面润湿性分别为超疏水疏油型和疏水疏油型，对C - RESS的微观结构具有良好的鲁棒性。因此，R2P NIL工艺有望成为大规模抗污染C-RESS微结构制备的一种有前途的方法。