基于窄沟道开栅Al0.25Ga0.75N / GaN HEMT和封装集成聚二甲基硅氧烷微沟道的低功耗pH传感器 由 ty10086 提交于 周三, 08/25/2021 - 16:36 具有低功耗、抗干扰能力强的pH传感器对于工业在线实时检测至关重要。提出了一种基于Al0.25 Ga0.75 N / GaN高电子迁移率晶体管( HEMT )封装集成聚二甲基硅氧烷( PDMS )微通道的窄通道pH传感器。制备的器件在提高稳定性和降低响应溶液pH变化的功耗方面显示了潜在的优势。初步结果显示，该pH传感器具有超低功耗( 标签 Al\u003csub\u003e0.25\u003c/sub\u003eGa\u003csub\u003e0.75\u003c/sub\u003eN/GaNHEMT 窄通道 微通道 pH检测 阅读更多 关于 基于窄沟道开栅Al0.25Ga0.75N / GaN HEMT和封装集成聚二甲基硅氧烷微沟道的低功耗pH传感器
