氮化硼

现代电子器件和系统迫切需要具有有效电磁干扰( EMI )屏蔽和散热的绝缘材料，但似乎在不牺牲电绝缘性能的前提下，EMI屏蔽是无法补偿的。本研究提出了逐层旋涂工艺制备有序交替结构的多层膜( MXene /聚二甲基硅氧烷/氮化硼，MXene / PDMS / BN )，并系统考察了多层膜的EMI屏蔽效能( EMI SE )、热导率，以及电绝缘性能。在平面内构建了MXene / PDMS层的导电网络，导致多层膜的有效EMI屏蔽。而且，BN / PDMS层可以通过平面绝缘导电通路，为多层膜提供有效的散热。多层膜的EMI SE与层数呈正相关，但层数的增加会恶化热导率和电绝缘性能。11层结构的多层膜在10.9   GHz处的EMI SE可达35.2   dB  ，热导率为0.65   W / m · K，体积电阻率为2.9   ×  1012  Ω   cm，击穿强度为3.29  KV / mm。本研究可为多功能复合材料的开发提供新的思路，可设想为一种先进的电子包装材料。

本研究证明了通过vat印刷硅丙基纳米复合材料形成具有增强热导率( k )的三维结构的可能性。聚二甲基硅氧烷( PDSM )代表了从电子到微流控的几个应用中常用的硅基聚合物。遗憾的是，聚合物的k值较低，因此需要形成复合材料以提高其热导率。有几种填料可以达到这个结果。本研究采用氮化硼( BN )纳米颗粒来提高PDMS类光固化基体的热导率。采用数字光处理( DLP )系统形成复杂结构。首先考察了配方的黏度，并进行光流变和衰减全反射傅里叶变换红外光谱( ATR- FTIR )分析，以检验适合DLP印刷的体系反应活性。通过动态机械热分析( DMTA )和拉伸试验对印刷样品进行了力学和热分析，揭示了BN纳米颗粒的积极作用。通过扫描电子显微镜( SEM )对材料的形貌进行了表征，最后通过热分析证明材料的热导率得到了提高，保持了制作3D打印配方的可能性。

本研究证明了通过vat印刷硅丙基纳米复合材料形成具有增强热导率( k )的三维结构的可能性。聚二甲基硅氧烷( PDSM )代表了从电子到微流控的几个应用中常用的硅基聚合物。遗憾的是，聚合物的k值较低，因此需要形成复合材料以提高其热导率。有几种填料可以达到这个结果。本研究采用氮化硼( BN )纳米颗粒来提高PDMS类光固化基体的热导率。采用数字光处理( DLP )系统形成复杂结构。首先考察了配方的黏度，并进行光流变和衰减全反射傅里叶变换红外光谱( ATR- FTIR )分析，以检验适合DLP印刷的体系反应活性。通过动态机械热分析( DMTA )和拉伸试验对印刷样品进行了力学和热分析，揭示了BN纳米颗粒的积极作用。通过扫描电子显微镜( SEM )对材料的形貌进行了表征，最后通过热分析证明材料的热导率得到了提高，保持了制作3D打印配方的可能性。