2D Bi2O2Se的高保真转移及其力学性能
摘要\n具有高电子迁移率的二维氧化铋( Bi2O2Se )在未来高性能、柔性的电子和光电子器件中具有优势。然而,薄的Bi2O2Se片的转移是相当困难的,限制了其力学性能的测量和在柔性器件中的应用探索。在此,我们发展了一种可靠有效的聚二甲基硅氧烷( PDMS )介导的方法,可以将Bi2O2Se薄片从生长的基底转移到目标基底上,如微机电系统基底。转移薄片的高保真度源于PDMS薄膜的高粘结能和柔韧性。首次采用纳米压痕法研究了二维Bi2O2Se的力学性能。研究发现,在二维半导体中,少层Bi2O2Se具有较大的本征刚度,为18 ~ 23 GPa,杨氏模量为88.7 ± 14.4 GPa,与理论值相符。此外,少层Bi2O2Se能够承受超过3 %的高径向应变,表现出优异的柔韧性。2D Bi2O2Se力学性能可靠传递方法和文献的发展,共同填补了这一新兴材料力学性能理论预测和实验验证的空白,将推动基于2D Bi2O2Se的柔性电子和光电子领域。