利用激光诱导石墨烯转移到PDMS上制备溶液处理的SnO2基柔性ReRAM
本文报道了利用激光诱导石墨烯( LIG )转移到聚二甲基硅氧烷( PDMS )上制备溶液处理的SnO2基柔性ReRAM，当SET从0 V扫至4.5 V，RESET从0 V扫至-4.5 V时，所制备的ReRAM表现出无、自符合的双极性阻变特性。该器件工作为丝状ReRAM，其导电机理分析表明，空间电荷限制导电( SCLC )是该器件模拟电阻开关的主导机理。在可靠性分析中，进行了100个循环的耐力测试和1.8 × 103s的保持测试。通过显示重复弯曲200次至半径1 mm后仍能获得阻变特性，证明了所制备ReRAM器件的灵活性。我们的研究提出了一种溶液处理的柔性ReRAM的新制备工艺，并证明了其在柔性电子领域的潜在应用。