利用激光诱导石墨烯转移到PDMS上制备溶液处理的SnO2基柔性ReRAM

由 ty10086 提交于 周三, 08/25/2021 - 15:56
文章英文标题
Fabrication of Solution-Processed SnO2–Based Flexible ReRAM Using Laser-Induced Graphene Transferred onto PDMS
正文
本文报道了利用激光诱导石墨烯( LIG )转移到聚二甲基硅氧烷( PDMS )上制备溶液处理的SnO2基柔性ReRAM，当SET从0 V扫至4.5 V，RESET从0 V扫至-4.5 V时，所制备的ReRAM表现出无、自符合的双极性阻变特性。该器件工作为丝状ReRAM，其导电机理分析表明，空间电荷限制导电( SCLC )是该器件模拟电阻开关的主导机理。在可靠性分析中，进行了100个循环的耐力测试和1.8 × 103s的保持测试。通过显示重复弯曲200次至半径1 mm后仍能获得阻变特性，证明了所制备ReRAM器件的灵活性。我们的研究提出了一种溶液处理的柔性ReRAM的新制备工艺，并证明了其在柔性电子领域的潜在应用。
文章内容（英文）
In this paper, we are reporting the fabrication of a solution-processed SnO\u003csub\u003e2\u003c/sub\u003e-based flexible ReRAM using laser-induced graphene (LIG) transferred onto polydimethylsiloxane (PDMS). The fabricated ReRAM showed forming-free and self-compliance bipolar resistive switching characteristics when the applied voltage was swept from 0 V to 4.5 V for SET and from 0 V to - 4.5 V for RESET. The device operates as a filamentary type ReRAM and its conduction mechanism analysis indicates that the space charge limited conduction (SCLC) is dominant mechanism in the analog resistive switching of the fabricated device. For the reliability analysis, 100 cycles of endurance test and 1.8 × 10\u003csup\u003e3\u003c/sup\u003e s of retention test were performed. The flexibility of the fabricated ReRAM device was demonstrated by showing that the resistive switching characteristics were still obtained after bending 200 times repeatedly down to 1 mm radius. Our study suggests the new fabrication process of a solution-processed flexible ReRAM and proves its potential applications to flexible electronics.
来源出处
Journal|[J]Current Applied PhysicsVolume 25, 2021.
DOI
https://doi.org/10.1016/J.CAP.2021.02.009

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