非晶氧化物半导体

人们展示了一种高度可靠的反向梯形结构聚二甲基硅氧烷( PDMS )，以实现机械增强的非晶态铟镓氧化锌( a-IGZO )薄膜晶体管( TFTs )，用于皮肤兼容电子。有限元分析( FEA )模拟表明，与常规衬底相比，a-IGZO TFTs内部的应力可以得到有效的降低。基于该结果，采用常规光刻工艺，利用负光刻胶( NPR )实现反向梯形均质结构，简单易用的NPR光刻可实现高分辨率的图形化，从而获得大面积可扩展的器件结构。反向梯形结构PDMS上的a-IGZO TFT在10 V的漏极偏压下具有最大的饱和迁移率6.06 cm2V-1s-1，应变应力最小。因此，包括应力释放结构在内的a-IGZO TFT表现出较高的力学性能，在15 %应变下饱和迁移率变化在12 %以内，而PDMS上传统的平面a-IGZO TFT即使在1 %应变下也表现出超过10 %的迁移率变化，无法在2 %应变下工作。