软压印光刻

摘要\n为了降低Si太阳电池的入射反射损耗，从而提高功率转换效率( PCE )，提出了一种仿生的d isdon-skin纳米角( DSNT )环氧树脂增透膜。采用时域有限差分法设计了环氧树脂DSNT薄膜，采用软压印技术在裸硅衬底上添加聚二甲基硅氧烷( PDMS )印章。光学特性表明，在300 ~ 1100nm波长范围内，反射率从裸Si衬底的40.0 %降低到环氧树脂DSNT薄膜/ Si衬底的15.8 %。此外，我们还发现所设计的DSNT结构可以轻松地转移到任何平坦的基底上，而不会变形成意想不到的形状使用软压印光刻。此外，环氧树脂DSNT薄膜具有优异的疏水和自清洁性能。通过在Si太阳电池顶部引入环氧树脂DSNT薄膜，使Si太阳电池的反射损耗降低7.8 %，从而使PCE从18.99 %提高到19.88 %。因此，环氧树脂DSNT薄膜是光伏应用AR薄膜的良好候选材料。