碳纳米管/聚二甲基硅氧烷复合微柱阵列以非光刻硅纳米线为模板,用于提高摩擦电纳米发电机的性能。
以非光刻硅纳米线( SiNW )阵列为模板,成功制备了碳纳米管/聚二甲基硅氧烷复合微柱( CNT / PDMS MP )阵列,用于摩擦电纳米发电机( TENG )的性能增强。在SiNW阵列上浇注CNT / PDMS复合材料,剥离得到CNT / PDMS MP阵列。CNT / PDMS复合材料的表面拓扑结构直接取决于SiNW阵列的形貌,可以通过典型的金属辅助化学刻蚀工艺的刻蚀时间来改变。当SiNW的形貌得到优化,长度约为10 mm时,微图形化CNT / PDMS复合材料大多被描绘成SiNW阵列模板图案。其次,将CNT / PDMS MP阵列作为摩擦电纳米发电机( TENGs )的摩擦电层,其最大输出电压为22.84 ± 0.85 V,相比于平面PDMS基TENGs,其电输出提高了约18倍;CNT / PDMS MP阵列对TENGs性能的提升主要归因于:( 1 ) CNT复合材料增强了静电感应,提高了介电常数;( 2 )非刻划图案和CNT复合材料表面织构增强了电气化。