基于氧化卤化铋的光增强摩擦电纳米发电机
利用窄禁带( ~ 1.8 eV )半导体的宽吸收特性，我们报道了基于铋碘化物( BiOI )的光增强摩擦电纳米发电机( TENG )。在透明导电氟掺杂氧化铟锡( FTO )衬底上，摩擦正BiOI的恒电位沉积为同时利用光增强电荷产生和摩擦电效应提供了途径。将BiOI / PDMS TENGs应用于摩擦负极聚二甲基硅氧烷( PDMS )薄膜，在光照条件下，BiOI / PDMS TENGs的输出电压提高了21 %，电荷密度提高了38 % (短路电流密度提高了26 % )，总功率密度提高了74 % (从0.25 Wm-2 (黑暗)到0.44 Wm-2 (光照) )。相应地，开尔文探针力显微镜( KPFM )观察到照明BiOI的平均表面电位(从~ 25 mV到~ 300 mV )急剧增强，称之为表面光电压( SPV )，对于孤立接地的BiOI / FTO电极，这种增强的SPV呈缓慢下降( ~ 3.5 h )，归因于BiOI的高介电常数、深表面态和陷阱的存在以及与周围环境的电荷交换缓慢。因此，这项工作不仅为通过光吸收提高TENG的机电效率提供了途径，而且还可用于电磁辐射和光电探测器的自供电检测。