结构表征

我们演示了一种在柔性聚二甲基硅氧烷( PDMS )衬底上无光刻的方法来制造结晶Si纳米膜( NM )，并通过机械拉伸其宿主PDMS衬底来诱导Si NM中的单轴拉伸应变。我们从一个商业化的绝缘体上硅( SOI )晶片出发，利用氢氟酸( HF )去除埋氧层( BOX )，并通过冲压将弱键合的Si NM转移到PDMS衬底上。该方法在PDMS衬底上创建了平整光滑的Si NMs，每个无裂纹区域的典型面积均大于100  μm  ×  100  μm。原子力显微镜( AFM )测量的转移Si NM无裂纹区域的均方根粗糙度( RMS )为0.4 - 0.5   nm。通过X射线衍射( XRD )表征，我们证实在PDMS衬底上转移的Si NM具有较高的结晶质量，适合器件制作。我们在Si NM中引入拉伸应变，用自制的机械工具拉伸Si NM所在的PDMS基底。拉曼光谱分析表明，沿Si ( 001 ) NM方向引入了高达1.0 %的单轴拉应变。这项工作表明，这种无光刻方法制造的Si NMs在电子学和光电子学领域具有广阔的应用前景。

我们演示了一种在柔性聚二甲基硅氧烷( PDMS )衬底上无光刻的方法来制造结晶Si纳米膜( NM )，并通过机械拉伸其宿主PDMS衬底来诱导Si NM中的单轴拉伸应变。我们从一个商业化的绝缘体上硅( SOI )晶片出发，利用氢氟酸( HF )去除埋氧层( BOX )，并通过冲压将弱键合的Si NM转移到PDMS衬底上。该方法在PDMS衬底上创建了平整光滑的Si NMs，每个无裂纹区域的典型面积均大于100  μm  ×  100  μm。原子力显微镜( AFM )测量的转移Si NM无裂纹区域的均方根粗糙度( RMS )为0.4 - 0.5   nm。通过X射线衍射( XRD )表征，我们证实在PDMS衬底上转移的Si NM具有较高的结晶质量，适合器件制作。我们在Si NM中引入拉伸应变，用自制的机械工具拉伸Si NM所在的PDMS基底。拉曼光谱分析表明，沿轴向引入高达1.0 %的单轴拉伸应变