纳米流体二极管

假说纳米流体二极管最近引起了人们的强烈关注。设计这些器件常用的材料是膜基短纳米孔和取向碳纳米管束。基于单个PDMS纳米通道的纳米流控二极管的开发是非常理想和非常具有挑战性的，它更容易被引入芯片上的集成电子系统。聚电解质层层沉积可以改变PDMS纳米通道的尺寸和表面性质，为基于PDMS纳米通道开发高性能纳米流控二极管提供了新的可能性。实验通过聚电解质表面修饰，控制单个PDMS纳米通道的表面电荷和尺寸，提出了一种新颖的纳米流控二极管的设计。采用聚苯醚( PB )和硫酸右旋糖酐( DS )减小PDMS纳米通道尺寸，以满足LBL离子门控的要求，并在纳米通道末端产生相反的表面电荷。对这种纳米流控二极管的参数进行了系统的研究。在PB / DS改性纳米通道中，其整流比可高达218，是迄今报道的最好的。这种整流比随着高压频率和离子浓度的增加而降低，而在较短的纳米通道中则增加。

纳米流体二极管最近引起了人们的强烈关注。设计这些器件常用的材料是膜基短纳米孔和取向碳纳米管束。基于单个PDMS纳米通道的纳米流控二极管的开发是非常理想和非常具有挑战性的，它更容易被引入芯片上的集成电子系统。通过层层沉积带电聚电解质可以改变PDMS纳米通道的尺寸和表面性质，为基于PDMS纳米通道开发高性能纳米流控二极管提供了新的可能性。通过聚电解质表面修饰，控制单个PDMS纳米通道的表面电荷和尺寸，设计了一种新型的纳米流控二极管。采用聚苯醚( PB )和硫酸右旋糖酐( DS )减小PDMS纳米通道尺寸，以满足LBL离子门控的要求，并在纳米通道末端产生相反的表面电荷。对这种纳米流控二极管的参数进行了系统的研究，本工作研制的这种纳米流控二极管具有很高的有效电流整流性能。在PB / DS改性纳米通道中，其整流比可高达218，是迄今报道的最好的。这种整流比随着高压频率和离子浓度的增加而降低，而在较短的纳米通道中则增加。