软生物电子学用Parylene C改性PDMS基底的界面和表面分析
Parylene C修饰的聚二甲基硅氧烷( PDMS )基底如Parylene C沉积的PDMS和parylene C填充的PDMS已被开发用于具有机械和电稳定金属图案的软电子器件的微加工。在以往的研究中，我们采用氧等离子体刻蚀的方法，将聚丙烯腈C刻蚀到聚丙烯腈C沉积的PDMS表面，以最大限度地提高PDMS的柔软和拉伸性能。然而，随着刻蚀时间的增加，生成的聚对苯二甲酸C填充PDMS在薄膜金属图形化过程中出现微裂纹。为了准确分析这种裂解现象，本研究根据沉积的Parylene C的厚度，定量考察了parylene C在PDMS中的渗透深度，并根据刻蚀时间，分析了parylene C在表面以及与PDMS形成的界面区域的数量。观察到，即使在远离PDMS表面的Parylene C被刻蚀后，仍然残留在PDMS孔隙中。另外，我们证实了过度刻蚀只降低了PDMS表面的Parylene C的量，对PDMS孔隙内部的parylene C没有明显影响。从这些结果可以证实，制备聚对苯二甲酸C填充PDMS基底的最佳条件是在没有过刻蚀的情况下，仅从PDMS表面刻蚀聚对苯二甲酸C。聚二甲基硅氧烷( PDMS )填充聚对苯二甲酸丙烯酯( Parylene C )基片将使硅片大规模高产率地制造软生物电子器件，以各种应用。